3月29日，中国科学院微电子研究所刘明院士应邀来校，为公司研究生创新论坛作了题为《非易失半导体存储技术》的学术报告。研究生院、物理与电子科学学院、材料科学与工程学院、化学化工学院等单位师生聆听了刘明院士的学术报告。
刘明院士在报告中介绍了国际及中国存储器产业发展现状和面临的挑战，以及主流的非易失存储器——闪存、磁存储器、相变存储器等的发展历程和工作原理；详细介绍了浮栅型闪存的模型和机理，并指出目前3D Flash存储器产业化面临的挑战；重点介绍了国内外关于存储技术的研究热点---阻变存储器（RRAM），阐述了高低阻态传输机理、通过掺杂及结构优化获得高性能器件、交叉结构中漏电流的问题、RRAM三维集成等。刘明院士在报告中还对RRAM的发展前景作出展望。刘明院士的报告深入浅出，精彩生动，使在座的师生对微电子技术，特别是存储技术方面产生了浓厚的兴趣，进而激发了大家的科研热情。
刘明是中国科学院院士，中国科学院微电子研究所研究员、博士生导师、中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室主任、国家973项目首席科学家、国家杰出青年基金获得者和国家自然科学基金委创新群体负责人。刘明院士长期致力于微电子科学技术领域的研究，在存储器模型机理、材料结构、集成电路的微纳加工等方面做出了系统、创造性的贡献。
