5月23日，华中科技大学徐明教授应物电学院所邀进行学术交流，并作了题为“三维存储器：从材料设计到芯片集成”的学术报告。
报告围绕发展自主研发的大规模高密度存储器是我国的重大战略目标。存储器中的重要分支相变存储（PCRAM）是很有潜力成为下一代存储器的新型存储技术之一，它是利用相变材料在晶体和非晶体之间的快速转换来实现“0”和“1”的开关。为了提高该存储器的性能，我们利用材料基因工程的平台对材料进行了筛选，并对其进行了实验的验证，显著提高了相变存储器的若干特性，对后续科学家和工程师开发同类材料有着指导作用。。
徐明，华中科技大学教授，微电子学系主任。于2005年和2008年在复旦大学信息学院获得本科和硕士学位，并在2013年在美国约翰霍普金斯大学获得博士学位。之后受到洪堡奖学金的资助，于2013-2016年间在德国亚琛工业大学进行博士后研究。2016年正式加入华中科技大学光学与电子信息学院，获批国家海外高层次青年人才计划。徐明博士的研究主要集中在相变存储材料与器件、基于硫系化合物的选通管和忆阻器、非晶硫系材料的局部结构和性质等。他已在存储器领域发表70余篇高质量论文，包括PRL、PNAS、AFM等。
